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定義 GAA，一般指全環繞柵極晶體管，全稱是Gate-All-Around FET。GAA被廣泛認為是鰭式結構（FinFET）的下一代接任者。
1. 晶體管架構的演變 晶體管已經發展到通過按照摩爾定律不斷擴大特征尺寸來降低制造成本，同時提高電路性能。

傳統的平面晶體管是通過將柵極放置在溝道區域的頂部而形成的，從而有效地使器件在二維平面上導電。然而，隨著柵極長度的縮放，這限制了通道電荷的柵極可控性。因此，引入了FinFET架構，以進一步實現特征尺寸縮放。在鰭式場效應晶體管中，溝道的三面被柵極包圍。

通過增強通道電荷的柵極可控性，在更小的占位面積上實現了性能的提高、漏電流的降低和柵極長度的縮放。由于這些優勢，FinFET允許從14納米及更高波長成功擴展技術。然而，進一步調整工作電壓極具挑戰性。為了克服這一限制，引入了在通道的所有四個側面都具有柵電極的柵極全能（GAA）晶體管。這樣可以在降低工作功耗的同時顯著提高性能，從而推動基于CMOS的新技術的發展。  三星MBCFETTM MBCFETTM是三星獨特的專利GAA版本。由于通道的納米線格式小，傳統的GAA需要更多的堆棧，這增加了工藝的復雜性。然而，三星的 MBCFETTM 通道以納米片形式形成，因此每個堆棧可以實現更大的電流，從而實現更簡單的設備集成。 MBCFETTM的優勢

最節能的技術：在過去的幾年里，該行業一直致力于降低工作電壓。較低的工作電壓等同于更高的電源效率。事實證明，使用鰭式場效應晶體管架構將工作電壓降低到0.75V以下是極其困難的。然而，由于MOSFET具有更好的開關特性，因此可以進一步降低工作電壓。

靈活的設計優化：根據產品要求，可以通過調制器件通道寬度來獲得高性能或低功耗。在鰭式場效應晶體管結構中，有必要以分立方式調制器件的數量，即鰭片。同時，在MBCFETTM中，納米片的寬度可以像平面型器件一樣靈活，因此可以在設計階段通過更好地利用面積來優化電路性能。此外，與FinFET相比，MBCFETTM具有更大的潛力，可以通過垂直堆疊額外的納米片來提高同一區域的性能。

與現有流程兼容：三星將MBCFETTM定義為與現有的FinFET工藝兼容。這意味著MBCFETTM技術共享相同的成熟工藝工具和制造方法。這導致了一個具有成本效益的平臺和客戶產品的快速提升。

功耗、性能和面積優勢 7nm FinFETvs 高級節點 MBCFETTM 在 PPA 方面，與 7nm 工藝技術相比，設計人員可以預期功耗降低多達 50%，性能提高約 30%，面積減少 45%。 GAA的缺點是什么？ 它們比結型晶體管更昂貴。
與BJT相比，增益帶寬積更小。
跨導低，因此電壓增益低。
與BJT相比，它具有更短的切換時間。
安裝過程中需要特殊處理。
當 FET 性能隨著頻率的增加而下降時。